文献类型：期刊文章

作　　者：彭鹏[1] 吴重庆[1] 田昌勇[1] 李亚捷[1] 郭宁[2]

机构地区：[1]北京交通大学理学院光信息科学与技术研究所,北京100044 [2]新加坡南洋理工大学网络技术研究中心,新加坡637553

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(60577020,60672004)资助课题

年　　份：2008

卷　　号：28

期　　号：5

起止页码：835-839

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20083611520652)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以半导体光放大器为非线性元件的双环耦合全光缓存器(DLOB)为基础,实现了速率为2.5Gb/s双波长数据的并行缓存。不同波长光信号合成后的功率随机波动,导致由半导体光放大器交叉相位调制产生的相位差随机波动。在考虑吸收损耗的情况下,对常用的半导体光放大器增益特性曲线进行了修正并与实测值拟合,得到了更为准确的增益特性曲线。在此基础上进行了理论分析,提出了通过调节控制光功率到最佳点以便减小相位差波动的方法。

关 键 词：光通信 双波长并行缓存  双环耦合全光缓存器 半导体光放大器 增益饱和 交叉相位调制

分 类 号：TN929]