登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

L-MBE法生长ZnO薄膜的退火研究  ( EI收录)  

Annealing Effect on ZnO Thin Films Grown by Laser-MBE

  

文献类型:期刊文章

作  者:杨晓东[1] 张景文[2] 王东[2] 毕臻[2] 侯洵[1]

机构地区:[1]中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安710119 [2]西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安710049

出  处:《光子学报》

基  金:教育部985工程基金资助;教育部211工程二期基金资助;河南省杰出人才基金;教育部博士点基金资助

年  份:2008

卷  号:37

期  号:5

起止页码:996-1000

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20082711351447)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:研究了空气退火对于激光分子束外延(L-MBE)法制备的ZnO薄膜光学及结构特性的影响,报道了采用小角度X射线分析(GIXA)技术对于ZnO薄膜退火前后的表面及界面状况的定量分析结果.RHEED衍射图样表明,薄膜经过380℃及600℃原位退火后,其表面仍然较为粗糙.而XRD在面(in-plane)Φ扫描结果显示出经过800℃空气退火之后,薄膜具有更好的外延取向性.GIXA分析结果表明,800℃退火后ZnO薄膜的表面方均根粗糙度从退火前的1.13nm下降为0.37nm;同时ZnO/Al2O3界面粗糙度从2.10nm上升为2.59nm.ZnO室温PL结果显示,退火后薄膜紫外近带边发光强度比退火前增大了40倍,并出现了源于电子-空穴等离子体(EHP)复合的N带受激发射峰,激发阈值约为200kW/cm2.

关 键 词:氧化锌 激光分子束外延 退火 光致发光 在面Φ扫描  小角度X射线分析  

分 类 号:O484] TG155.22[物理学类]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心