文献类型：期刊文章

作　　者：董林玺[1] 颜海霞[2] 钱忺[1] 孙玲玲[1]

机构地区：[1]杭州电子科技大学微电子CAD研究所,浙江杭州310018 [2]东芝水电设备有限公司,浙江杭州311504

出　　处：《电子学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.60506015);浙江省自然科学基金(No.Y107105)

年　　份：2008

卷　　号：36

期　　号：5

起止页码：1035-1040

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：DRIE(Deep Reactive Ion Etching)工艺加工的高深宽比梳齿电容不能保证绝对平行.本文在考虑低真空空气阻尼力的同时,研究了梳齿电容倾斜的MEMS传感器对脉冲惯性信号的响应,并分析了DRIE工艺因素对器件性能的影响.研究结果表明,当传感器为没有静电力反馈的双边电容结构时,梳齿电容的不平行对传感器的响应位移、惯性脉冲响应线性度范围影响明显,且随着封装真空度增加而加重.若传感器有静电力反馈,惯性脉冲响应的灵敏度降低,但DRIE工艺因素的影响程度降低.为了抑制DRIE工艺导致的梳齿电容不平行因素的影响,文中还设计了一个新型的变电容面积的MEMS惯性传感器,并用ANSYS初步分析了其性能,设计了其详细的制作工艺流程.

关 键 词：高精度微传感器  倾斜梳齿  惯性脉冲响应  MEMS

分 类 号：TN43]