文献类型：期刊文章

作　　者：乔琦[1] 季静佳[2,3] 张光春[2,3] 施正荣[2,3] 李果华[2,4]

机构地区：[1]江南大学微电子系,无锡214122 [2]江苏省光伏工程技术中心,无锡214028 [3]无锡尚德太阳能电力有限公司,无锡214028 [4]江南大学光信息科学与技术系,无锡214122

出　　处：《太阳能学报》

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：5

起止页码：555-559

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20082711351676)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiN_x)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜并在不同温度下烧结形成背场。用扫描电子显微镜(SEM)对Al背电场进行表征,测量开路电压并探讨工艺条件对Al背电场微结构及开路电压的影响。实验结果表明,在真空度为5.0×10^(-3)Pa,阻蒸电流为250A的条件下,所镀膜层最厚、致密均匀、结合力好,且Al背场的开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加。

关 键 词：真空蒸镀 Al背场  SEM 开路电压

分 类 号：TK511.5]