文献类型：期刊文章

作　　者：陈琨[1] 范广涵[1] 章勇[1] 丁少锋[1]

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50602018);广东省自然科学基金(批准号:06025083);广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z1-D0071)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：5

起止页码：3138-3147

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20082411313508)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000256262700082)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000256262700082)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了纤锌矿ZnO,N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子对In-N共掺杂ZnO的影响.计算结果表明:N掺杂ZnO在能隙中引入了深受主能级,载流子(空穴)局域于价带顶附近.而加入激活施主In的In-N共掺杂ZnO,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能级带变宽、非局域化特征明显、提高了掺杂浓度和系统的稳定性.文章的结论与实验结果相符,从而为实验上,In的掺入有助于实现ZnO的p型掺杂提供了理论支持.文中还指出H原子的存在会大大降低掺杂效率,对p型掺杂产生不利影响,应该在反应中尽量避免.

关 键 词：密度泛函理论(DFT)  第一性原理 N掺杂ZnO  In-N共掺杂ZnO  

分 类 号：O471]