文献类型：期刊文章

作　　者：付博[1] 张国权[1] 刘祥明[1] 申岩[1] 徐庆君[2] 孔勇发[1] 陈绍林[1] 许京军[1]

机构地区：[1]南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室 [2]枣庄学院物理系,枣庄277160

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60678021,10334010);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-04-0234);天津市国际科技合作项目(批准号:06YFGHHZ00500);国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB307002,2006CB921703);高等学校学科创新引智计划资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：5

起止页码：2946-2951

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20082411313480)、INSPEC、JST、SCI(收录号：WOS:000256262700052)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000256262700052)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外-红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5mol.%的晶体中可达到1.1cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的.

关 键 词：掺杂 铌酸锂晶体 非挥发  全息存储

分 类 号：TN204]