文献类型：期刊文章

作　　者：陈寒娴[1] 杨瑞东[2] 王茺[1] 邓荣斌[1] 孔令德[1] 杨宇[1]

机构地区：[1]云南大学工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心,云南昆明650091 [2]红河学院物理系,云南蒙自661100

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60567001);云南大学“学术骨干”培养基金支持的资助项目(YG070436)

年　　份：2008

卷　　号：39

期　　号：5

起止页码：730-732

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20082711351372)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光（PL）对样品进行表征。结果表明，2．0～2．3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的；1．77～1．84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷；1．53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光。

关 键 词：Si/Ge多层膜  可见光致发光  离子束溅射

分 类 号：O484.1]