期刊文章详细信息
PECVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系
Correlations between the Properties of PECVD SIN Films and Their Deposition Conditions
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]杭州大学电子工程系
基 金：国家自然科学基金
年 份：1990
卷 号：17
期 号：2
起止页码：174-183
语 种：中文
收录情况：CSCD、CSCD2011_2012、ZMATH、普通刊
摘 要：本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀,含氧量均较低(3%以下),任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加,固定界面正电荷密度与陷阱密度均在10^(12)/cm^2量级,膜的导电机理显示Poole-Frenkel发射,当Si/N比为1.25～0.81时,膜的击穿场强为3.0～8.5MV/cm.
关 键 词：氮化硅 薄膜 PECVD 性质 生长条件
分 类 号：TN304.055]
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