文献类型：期刊文章

作　　者：赵晓锋[1] 温殿忠[2] 高来勖[1]

机构地区：[1]黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨150080 [2]黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨150080

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金项目(No.60676044);黑龙江省教育厅科学技术研究项目(No.11521215);电子工程黑龙江省高校重点实验室项目(DZZD2006-12)

年　　份：2008

卷　　号：37

期　　号：2

起止页码：461-465

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20082411315008)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和I-V特性影响。实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强。

关 键 词：直流磁控溅射 ZNO薄膜 晶粒 晶粒间界

分 类 号：TM614]