期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]上海建桥学院电子工程系,上海201319
年 份:2008
卷 号:30
期 号:2
起止页码:49-51
语 种:中文
收录情况:JST、普通刊
摘 要:本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。与传统的补偿方法不同,本文提出的方法利用电流对温度的不同依赖性,先进行高阶补偿,然后再进行一阶补偿。使用这种高阶补偿方法设计了一个CMOS电流模高阶补偿基准,它不使用双极器件,从而明显改善基准电路的性能;同时也不使用运放,因此也不存在失调电压的影响。理论和模拟结果均表明,本文提出的补偿方法是可行的。
关 键 词:PTAT电压 亚阈值区 电流模 高阶补偿
分 类 号:TM133]
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