文献类型：期刊文章

作　　者：谢清连[1] 阎少林[1] 方兰[1] 赵新杰[1] 游石头[1] 张旭[1] 左涛[1] 周铁戈[1] 季鲁[1] 何明[1] 岳宏卫[1] 王争[1] 李加蕾[1] 张玉婷[1]

机构地区：[1]南开大学信息技术科学学院电子信息科学与技术系,天津300071

出　　处：《低温与超导》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973)项目(2006CB601006);国家高技术研究发展计划(863)新材料领域(2006AA03Z213);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20050055028)资助

年　　份：2008

卷　　号：36

期　　号：4

起止页码：1-4

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、核心刊

摘　　要：研究了MgO基片在高温退火时表面形貌和表面结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响。原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1100℃温度下退火,MgO的表面首先由未退火时的皱褶形貌,演化为光滑表面,随着退火时间的延长,表面形貌最终演化为具有光滑基底的独立生长峰结构。XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高MgO基片表面结晶的完整性。在1100℃温度下热处理8小时的MgO基片上可以生长出具有高度c轴取向的CeO2(001)缓冲层。然后在此缓冲层上制备了厚度为500nm的外延Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)达到108.6K,液氮温度下临界电流密度(Jc)为2.8mA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约为360.9μΩ。

关 键 词：TI—2212超导薄膜  MGO 缓冲层

分 类 号：TB332[材料类] TN432]