文献类型：期刊文章

作　　者：胡清琮[1] 陈琛[1] 王菁[1] 张鲁[1] 陈东坡[1] 梁斌[1] 何乐年[1]

机构地区：[1]浙江大学超大规模集成电路研究所,浙江杭州310027

出　　处：《浙江大学学报（工学版）》

年　　份：2008

卷　　号：42

期　　号：4

起止页码：632-635

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20082311303658)、IC、INSPEC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：针对锂电池的充电保护问题,提出了一种基于恒流/恒压充电方式的充电器芯片的设计方法.电路采用电流镜结构为主体,以多控制参数竞争方法对输出PMOS管的栅极进行控制,实现了恒定电流充电、恒定电压充电和高温调节控制模式,以及各模式之间的平稳过渡.芯片采用CSMC公司的0.6μm双层多晶硅双层金属CMOS混合信号模型设计和流片.仿真及测试结果表明,该电路可实现各充电模式及模式之间的平稳过渡,充电完成后电池电压为4.14-4.22 V,满足±1%的精度要求.

关 键 词：锂电池 充电保护 恒流/恒压模式  温度保护

分 类 号：TN432]