文献类型：期刊文章

作　　者：雷红[1]

机构地区：[1]上海大学纳米科学与技术研究中心,上海200444

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60773080);上海市教委第五期重点学科资助项目(J50102)

年　　份：2008

卷　　号：33

期　　号：5

起止页码：369-373

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗剂、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。

关 键 词：化学机械抛光 原子级精度表面  清洗技术

分 类 号：TN305]