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硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响
Influence of Boron-doping on Electrical Properties of na-Si:H Thin Film Prepared by PECVD
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]浙江大学无机非金属材料研究所,浙江杭州310027
年 份：2008
卷 号：26
期 号：2
起止页码：226-228
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响。研究表明,与传统掺硼非晶硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si∶H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能Ea≈0.50eV、σph/σd>102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力。
关 键 词：PECVD na—Si:H 掺杂比 激活能
分 类 号：O484.42]
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