文献类型：期刊文章

作　　者：王琼[1] 安翠翠[1] 马文玲[2] 窦小晶[1] 刘航[1] 张源斌[1]

机构地区：[1]西安交通大学电气工程学院,西安710049 [2]长安大学理学院物理系,西安710054

出　　处：《电瓷避雷器》

年　　份：2008

期　　号：2

起止页码：28-31

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、RCCSE、普通刊

摘　　要：依据实体模型,采用有限元ANSYS分析软件对1000kV系统用瓷外套MOA建立2-D模型,进行场强和电位分布计算。比较了采用并联均压电容前后MOA内部电阻片与瓷套内侧的电位和场强分布的变化,结果表明:MOA电阻片与瓷套内侧容易发生放电或闪络现象的位置分别为,第一节单元距单元上法兰的1/6～1/5处和第四节单元距单元上法兰的1/6～1/5处;并联均压电容之后,各单元电阻片上的场强和承担的电压趋于均匀化,但某些单元的径向场强和电位差变大,不利于MOA的安全运行。

关 键 词：MOA 电位分布 并联电容 有限元法  

分 类 号：TM862]