文献类型：期刊文章

作　　者：陈蒲生[1] 冯文修[1] 王川[2] 王锋[1] 刘小阳[3] 田万廷[1] 曾绍鸿[1]

机构地区：[1]华南理工大学应用物理系,广州510641 [2]南方四通公司信息研究所,广州510630 [3]华南理工大学测试分析中心,广州510641

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金;广东省自然科学基金

年　　份：1997

卷　　号：18

期　　号：10

起止页码：776-781

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：1998244172531)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论．

关 键 词：薄介质栅  薄膜晶体管  PECVD法 半导体薄膜技术

分 类 号：TN321.5] TN304.055