文献类型：期刊文章

作　　者：王良坤[1] 马成炎[2] 叶甜春[1]

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]杭州中科微电子有限公司,杭州310053

出　　处：《微电子学》

年　　份：2008

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：262-266

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出并设计了一个2.4 GHz低噪声放大器,该放大器采用TSMC 0.25μm RF CMOS工艺实现。与传统的共源共栅结构相比,该电路引入了一个电感与级间寄生电容谐振,使整个电路的线性度、噪声系数等关键性能指标得到改善。该放大器的正向功率增益为17 dB,NF为1.35dB,IIP3为8.1 dBm,功耗为16 mW,且输入输出阻抗匹配良好,满足无线接收机射频前端对高线性度低噪声放大器的要求。

关 键 词：CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 无线接收机

分 类 号：TN722.3]