期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]杭州中科微电子有限公司,杭州310053
年 份:2008
卷 号:38
期 号:2
起止页码:262-266
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要:提出并设计了一个2.4 GHz低噪声放大器,该放大器采用TSMC 0.25μm RF CMOS工艺实现。与传统的共源共栅结构相比,该电路引入了一个电感与级间寄生电容谐振,使整个电路的线性度、噪声系数等关键性能指标得到改善。该放大器的正向功率增益为17 dB,NF为1.35dB,IIP3为8.1 dBm,功耗为16 mW,且输入输出阻抗匹配良好,满足无线接收机射频前端对高线性度低噪声放大器的要求。
关 键 词:CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 无线接收机
分 类 号:TN722.3]
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