文献类型：期刊文章

作　　者：李爱侠[1] 毕红[2] 刘艳美[1] 吴明在[1]

机构地区：[1]安徽大学物理与材料科学学院,安徽省信息材料与器件重点实验室,安徽合肥230039 [2]安徽大学化学化工学院,安徽合肥230039

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(20401001)

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：2

起止页码：289-293

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用电子束蒸发沉积成膜工艺在单晶Si(111)衬底上制备出Co,Cu共掺杂的Zn0.85-xCo0.15CuxO(x=0,0.04,0.06)多晶膜。采用X射线衍射(XRD)研究了Co、Cu掺杂对其微结构的影响;室温下测量了Zn0.85-xCo0.15CuxO薄膜的光致发光谱,发现随着Cu掺杂量的增加,样品发光增强,当Cu掺杂x=0.06时,Zn0.85-xCo0.15CuxO薄膜的PL谱中出现了较强的双峰蓝光发射;分析了掺杂含量对其发光性能的影响,并对样品的发光机制进行了探讨,并推断出蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位(VZn)能级的跃迁及锌填隙(Zni)能级到价带顶的跃迁。

关 键 词：Zn0.85-xCo0.15CuxO薄膜  CO Cu共掺杂  光致发光谱

分 类 号：O482.31] O484[物理学类]