期刊文章详细信息
CMOS集成电路中ESD保护技术研究
Research of ESD Protection Technology in CMOS Integrated Circuit
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]同济大学半导体与信息技术研究所,上海200092 [2]同济大学,上海200092
基 金：863项目:高性能集成型电子镇流器关键技术研究与开发(2006AA05Z211)
年 份：2008
卷 号：31
期 号：8
起止页码：1-3
语 种：中文
收录情况：IC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点,选择合适的器件(如MOS,SCR,二极管及电阻)达到电路需要的ESD保护能力;电路方面采用栅耦和实现功能较强的ESD保护。
关 键 词：静电放电 失效模式 ESD保护电路 栅耦合
分 类 号：TN433]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
