文献类型：期刊文章

作　　者：密保秀[1,2] 陆希朗[3] 高志强[1,2] 谢国伟[3]

机构地区：[1]南京邮电大学江苏省有机电子与信息显示重点实验室,江苏南京210046 [2]南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院,江苏南京210003 [3]香港浸会大学先进发光材料中心,中国香港

出　　处：《南京邮电大学学报（自然科学版）》

基　　金：南京邮电大学攀登计划(NY207013);香港创新科技署广州-香港工业支持计划(ITC/05-06/06)资助项目

年　　份：2008

卷　　号：28

期　　号：1

起止页码：48-52

语　　种：中文

收录情况：CSA、CSA-PROQEUST、EI(收录号：20081511196701)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光(OLED)的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变。研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数。X射线光电子能谱的测量揭示了其本质:氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡/铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高。高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能。进一步的基于联苯二胺衍生物NPB/8-羟基喹啉铝(Alq3)的标准器件的研究证明了这一点。研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低。这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小。因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果。在本实验系统下处理条件为射频功率100W、时间25s。

关 键 词：有机电致发光 表面处理 功函数

分 类 号：TN383.1]