文献类型：期刊文章

作　　者：刘小兵[1,2] 熊祖洪[1,2] 袁帅[1,2] 廖良生[1,2] 何钧[1,2] 曹先安[1,2] 缪熙月[1,2] 丁训民[1,2] 侯晓远[1,2]

机构地区：[1]长沙电力学院物理系 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金;国家教育委员会跨世纪人才培养计划

年　　份：1997

卷　　号：46

期　　号：10

起止页码：2059-2065

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004057857742)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０ｎｍ，而且在空气条件下存放６０ｄ后发光强度没有变化．表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一．

关 键 词：微波等离子体 多孔硅 后处理 钝化处理

分 类 号：TN204]