文献类型：期刊文章

作　　者：刘小兵[1,2,3] 孙洁林[1,2,3] 袁帅[1,2,3] 廖良生[1,2,3] 何钧[1,2,3] 缪熙月[1,2,3] 范洪雷[1,2,3] 徐磊[1,2,3] 李民乾[1,2,3] 侯晓远[1,2,3]

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室 [2]长沙电力学院物理系 [3]中国科学院上海原子核研究所核分析中心

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金;国家教育委员会跨世纪人才基金

年　　份：1997

卷　　号：46

期　　号：8

起止页码：1543-1551

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004057858228)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和光致荧光（ＰＬ）光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究．表面和侧面的ＡＦＭ结果表明，多孔硅表面呈“小山”状，有许多小的、突出的硅颗粒．在相同的腐蚀条件（等效）下，脉冲腐蚀的样品表面Ｓｉ颗粒更加尖锐、突出，侧面的线状结构更明显，多孔硅层更厚．对应的ＰＬ谱，脉冲腐蚀的样品发光更强．

关 键 词：PL光谱  多孔硅 微结构 发光特性 AFM

分 类 号：TN204]