文献类型：期刊文章

作　　者：严辉[1] 陈光华[1] 黄世平[2] 郭伟民[3]

机构地区：[1]北京工业大学应用物理系 [2]香港中文大学电子工程系 [3]香港中文大学化学系

出　　处：《物理学报》

年　　份：1997

卷　　号：46

期　　号：11

起止页码：2274-2279

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1998034142007)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源的离子束合成方法，对单晶Ｓｉ衬底注入Ｃ＋离子，获得不同剂量下的ＳｉＣ埋层．Ｃ＋离子束的引出电压为５０ｋＶ，注入的剂量为３０×１０１７—１６×１０１８ｃｍ－２．通过红外吸收谱的测试和分析，表明ＳｉＣ埋层的结晶程度依赖于剂量的大小．研究证实，可以在较低的平均衬底温度下（低于４００℃）得到含立方相结构的ＳｉＣ埋层．

关 键 词：碳化硅 晶体生长 红外吸收 埋层

分 类 号：TN304.24] TN304.5