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电子助进热丝化学汽相沉积金刚石薄膜 ( EI收录)
CHARACTERIZATION STUDY OF TEXTURED DIAMOND FILMS GROWN ON SILICON (100) SUBSTRATE BY HOT FILAMENT CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北大学物理系
年 份：1997
卷 号：46
期 号：11
起止页码：2206-2214
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1998034141999)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要：以ＣＨ４和Ｈ２为源反应气体，利用电子助进热丝化学汽相沉积（ＣＶＤ）技术，在Ｓｉ（１００）晶面衬底上成功地得到了织构生长的金刚石薄膜．用扫描电子显微镜、Ｒａｍａｎ光谱、Ｘ射线衍射等多种技术对薄膜的形貌、成分、晶态等特性进行了分析，得到了在热丝ＣＶＤ实验条件下织构生长金刚石薄膜的最佳工艺条件．
关 键 词：电子助进 金刚石薄膜 CVD 热丝CVD
分 类 号：TN304.18] TN304.055
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