文献类型：期刊文章

作　　者：刘心宇[1] 李海麒[1] 江民红[1]

机构地区：[1]桂林电子科技大学信息材料科学与工程系

出　　处：《湖南科技大学学报（自然科学版）》

基　　金：广西高校百名中青年学科带头人资助计划项目(RC20060809014)

年　　份：2008

卷　　号：23

期　　号：1

起止页码：27-30

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的ZAO靶材.研究了掺杂含量、烧结温度对陶瓷靶材微观结构和性能的影响,并使用自制靶材,采用射频磁控溅射法镀膜.结果表明:Al2O3的掺杂没有破坏ZnO晶体结构,Al原子对Zn原子进行有效替位;晶粒尺寸随着掺杂量的增多而减小;靶材的电阻率随掺杂量的增加呈U型变化,在3wt%时取得最小值4.2×10-2Ω.cm;靶材致密度超过96%.使用该靶材生长的多晶ZAO薄膜具有(002)择优取向,结晶均匀,呈柱状生长,薄膜电阻率和可见光平均透射率可分别达到8×10-4Ω.cm～9×10-4Ω.cm和85%.图9,表1,参14.

关 键 词：ZAO薄膜 陶瓷靶材 微观结构

分 类 号：TB43] TB34