文献类型：期刊文章

作　　者：方泽波[1] 谭永胜[1] 朱燕艳[2] 陈圣[2] 蒋最敏[2]

机构地区：[1]绍兴文理学院物电系,绍兴312000 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家重点基础研究专项基金(G2001CB3095，10321003，60425411);绍兴市科技基金(2007A21015)

年　　份：2008

卷　　号：23

期　　号：2

起止页码：357-360

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20081611207186)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000254495300031)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000254495300031)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.

关 键 词：高K栅介质 Er2O3薄膜  反应蒸发  

分 类 号：O484]