文献类型：期刊文章

作　　者：费翔[1] 钱可元[1] 罗毅[1,2]

机构地区：[1]清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,广东深圳518055 [2]清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京100084

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60536020,60390074);国家重点基础研究发展计划“973”资助项目(2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806);国家高技术研究发展计划“863”资助项目(2006AA03A105);北京市科委重大计划资助项目(D0404003040321)

年　　份：2008

卷　　号：19

期　　号：3

起止页码：289-292

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20081711223202)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：介绍了基于正向电压法原理自行研制的大功率LED结温测试系统,结温定量测量精度可达±0.5℃。利用该系统对不同芯片结构与不同封装工艺的大功率LED热阻进行了测量比较,并对不同结温的大功率LED发光特性进行了研究。结果表明,不同结构芯片温度-电压系数K明显不同;采用热导率更高的粘结材料和共晶焊工艺固定LED芯片,会明显降低封装层次引入的热阻。结温对光辐射功率有直接影响,若保持结温恒定,光辐射功率随电流增大线性增加;若保持外部散热条件不变,热阻大的芯片内部热量积累较快,导致结温上升速度更快,光效随电流增加而下降的趋势也更为严重。

关 键 词：结温 大功率LED 光辐射功率  光效

分 类 号：TN312.8]