文献类型：期刊文章

作　　者：郑海务[1,2] 苏剑峰[2] 顾玉宗[1] 张杨[1] 傅竹西[2]

机构地区：[1]微系统物理研究所,河南大学物理与电子学院,开封475001 [2]中国科学技术大学物理系,合肥230026

出　　处：《材料研究学报》

基　　金：国家自然科学基金50532070，50472009和10474091资助项目．

年　　份：2008

卷　　号：22

期　　号：1

起止页码：37-41

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20081311170679)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用AlN过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.

关 键 词：无机非金属材料 6H-SiC薄膜  低压CVD  蓝宝石 微结构

分 类 号：O782]