文献类型：期刊文章

作　　者：程宇航[1] 吴一平[1] 陈建国[1] 乔学亮[1] 谢长生[1]

机构地区：[1]华中理工大学材料科学与工程系

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：华中理工大学塑性成型模拟及模具技术国家重点实验室资助

年　　份：1997

卷　　号：25

期　　号：4

起止页码：452-457

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用激光Ｒａｍａｎ谱和ＸＲＤ谱对用直流射频等离子体化学气相沉积法制备的类金刚石膜的结构进行了分析，并研究了工艺参数对膜的沉积速率、内应力和直流电阻率的影响。结果表明：类金刚石膜是由ｓｐ２和ｓｐ３键组成的非晶态碳膜，当负偏压高于３００Ｖ时，膜中ｓｐ３／ｓｐ２键的比值随负偏压的升高而降低。类金刚石膜的沉积速率与负偏压Ｖｂ成正比。膜内存在１～４．７ＧＰａ的压应力，随负偏压的升高而降低。膜的电阻率随负偏压的升高先增后降，这与膜中ｓｐ２／ｓｐ３的比值相对应。

关 键 词：类金刚石膜 化学气相沉积 结构  性能  金刚石薄膜

分 类 号：TN304.18]