文献类型：期刊文章

作　　者：姚达[1] 刘欣[2] 岳世忠[3]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032 [2]中国人民解放军91550部队,辽宁大连116000 [3]北京大学软件与微电子学研究院,北京100871

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2008

卷　　号：33

期　　号：3

起止页码：193-196

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化。通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。

关 键 词：光刻 光刻机 分辨率 掩模 焦深 曝光  

分 类 号：TN305.7]