文献类型：期刊文章

作　　者：王秩伟[1,2] 龚恒翔[2] 李雪[2] 谌家军[1]

机构地区：[1]西华师范大学物理与电子信息学院,四川南充637002 [2]绍兴文理学院材料物理与设备研究所,浙江绍兴312000

出　　处：《纳米科技》

年　　份：2008

卷　　号：5

期　　号：1

起止页码：37-44

语　　种：中文

收录情况：内刊、普通刊

摘　　要：利用一种改进的溅射方法在载波片上制备了多晶TiO2薄膜。由于该法在溅射过程中氧气控制得像脉冲一样，所以称之为氧脉冲直流磁控反应溅射。它能有效的减轻靶中毒，样品沉积速率达到传统反应溅射法的7倍左右。分别利用椭圆偏振测厚仪、X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了沉积时间、氧分压以及氧气开关时间对沉积速率、晶体结构和表面形貌的影响。研究结果显示，在氧分压为30％，断氧时间Toff=30s和20s下制备的样品具有最好的金红石相或锐钛矿相单一晶体结构，并且在Toff=30s时，具有最佳的表面形貌。此外，在较高沉积速率和较低氧分压下，样品更趋向于生成金红石相。利用范德堡法研究了样品的电阻率，在氧分压为30％，Toff=30s和50％，Toff=40s下制备的样品的电阻率为10·cm左右。该样品适合进一步研究透明导电TiO2薄膜。

关 键 词：TIO2薄膜 反应溅射 氧控制  沉积速率

分 类 号：TN305.92]