文献类型：期刊文章

作　　者：李林娜[1,2,3] 薛俊明[1,2,3] 赵亚洲[1,2,3] 李养贤[1,2,3] 耿新华[1,2,3] 赵颖[1,2,3]

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 [2]光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 [3]光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：天津市科技发展计划项目(06YFGZGX02100);天津市自然科学基金项目(043604911);国家“973”重点基础研究项目(2006CB202602和2006CB202603)

年　　份：2008

卷　　号：37

期　　号：1

起止页码：147-150

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20081911244922)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响。实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1。将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%。

关 键 词：ITO薄膜 电阻蒸发法  载流子浓度 霍尔迁移率  

分 类 号：O484]