文献类型：期刊文章

作　　者：唐振方[1] 赵健[1] 卫红[2] 张正法[1]

机构地区：[1]暨南大学物理系,广州510632 [2]广州市光机电工程研究开发中心,广州510635

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：广东省科技攻关计划项目(2006B13301006)

年　　份：2008

卷　　号：37

期　　号：1

起止页码：88-92

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20081911244912)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以V2O5陶瓷烧结靶材及射频磁控溅射工艺制备V2O5薄膜,再经氩气气氛退火处理得到VO2薄膜。采用扫描电子显微镜观察不同制备条件下薄膜表面微观形貌特征,拉曼光谱和X射线光电子能谱用来分析确定退火前后薄膜的物相结构及化合价态。结果表明,溅射4h、450℃退火2h制备的薄膜结晶形态良好,VO2纯度高于94%原子分数。

关 键 词：VO2薄膜 射频磁控溅射 退火 制备工艺  

分 类 号：O484]