文献类型：期刊文章

作　　者：唐鑫[1] 吕海峰[2] 马春雨[1] 赵纪军[3] 张庆瑜[1]

机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116024 [2]中国科学院计算机网络信息中心超级计算中心,北京100080 [3]大连理工大学高科技研究院,大连116024

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10605009)资助的课题.~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：2

起止页码：1066-1072

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20081211162366)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000253432100070)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000253432100070)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨道控制.随着掺杂浓度的增加,决定带隙宽度的CBM的位置下降,同时VBM的位置上升,从而导致了带隙的变窄,出现了红移现象.此外,Cd掺杂会使晶胞发生膨胀,这种张应变也是导致CdxZn1-xO禁带宽度变小的原因之一.

关 键 词：密度泛函理论 电子结构 Cd掺杂ZnO  

分 类 号：O472]