文献类型：期刊文章

作　　者：葛桂贤[1] 雷雪玲[2] 闫玉丽[3] 杨致[3] 赵文杰[3] 王清林[3] 罗有华[3]

机构地区：[1]石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室,新疆832003 [2]新疆师范大学数理信息学院,乌鲁木齐830053 [3]河南大学物理与信息光电子学院理论物理研究所,开封475004

出　　处：《原子与分子物理学报》

年　　份：2008

卷　　号：25

期　　号：1

起止页码：143-148

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、核心刊

摘　　要：利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G^＊的水平上对GanNn（n=2～5）团簇的结构进行优化，得到了GanNn（n=2～5）团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析．结果表明，团簇的最稳定结构为平面结构，且存在着N2和N3单元，说明N—N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用；能隙间隔为1．776～3．563eV，表明GanNn（n=2～5）团簇已具有了半导体的性质．

关 键 词：GanNn团簇  最低能量结构 电子性质

分 类 号：O641]