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CMOS带隙基准源研究现状
An Overview of the Research on CMOS Bandgap Reference Sources
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]清华大学微电子研究所,北京100084 [2]清华大学电子工程系,北京100084
基 金：国家自然科学基金资助项目(60475018);北京市科技计划资助项目(D0305004040221-2-05)
年 份：2008
卷 号：38
期 号：1
起止页码：57-63
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源。
关 键 词：带隙基准源 低电源电压 低功耗 高精度 高PSRR
分 类 号：TN432]
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