文献类型：期刊文章

作　　者：张丹[1] 林雁飞[2] 冯勇建[2]

机构地区：[1]厦门大学嘉庚学院机电工程系,福建漳州363105 [2]厦门大学机电工程系,福建厦门361005

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2008

卷　　号：45

期　　号：2

起止页码：104-108

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：介绍了一种以MEMS技术为基础的电容式硅微真空传感器。该传感器主要采用p+硅自停止腐蚀技术和阳极键合技术制作,形成了玻璃-硅-玻璃的三明治结构。传感器的传感元是经过浓硼扩散的硼硅膜,方形硼硅膜的应用使传感器具有更高的灵敏度;感应耦合等离子体刻蚀硼硅膜引出金属电极的方法使传感器的制作更为简单。该真空微传感器具有结构简单、灵敏度高等优点,其尺寸为5mm×6.4mm。该真空传感器的测量范围为5×10-3～6×10-2Pa,其线性度为5.9%,灵敏度比较稳定。

关 键 词：微机电系统 传感器 自停止  阳极键合 三明治结构  

分 类 号：TP212.1]