文献类型：期刊文章

作　　者：王连红[1] 梁建[1] 马淑芳[1] 刘旭光[1] 许并社[1]

机构地区：[1]太原理工大学新材料界面科学与工程省部共建教育部重点实验室

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金重大研究计划(90306014);国家自然科学基金(20471041)资助项目

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：1

起止页码：152-155

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用化学气相沉积法(CVD),分别以三氧化二镓(Ga2O3)和氨气(NH3)为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓(GaN)薄膜,实验中没有使用缓冲层。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子能量散射谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行分析,生成物为质量较好的富镓的纯氮化镓薄膜。片状氮化镓微晶表面大小约数百纳米,厚度数十纳米,薄膜表面平整、致密,没有裂纹或龟裂现象,与Si衬底结合紧密。氮化镓薄膜的带边峰位于367nm处,同时出现了黄光发射峰。并对此种氮化镓薄膜的生长机理进行了探讨。

关 键 词：氮化镓薄膜 化学气相沉淀  生长机理  

分 类 号：TN304] O482.31]