文献类型：期刊文章

作　　者：杨志平[1] 王少丽[1] 杨广伟[1] 田晶[2] 李盼来[1] 李旭[1]

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院发光与显示研究所,河北保定071002 [2]河北大学电子信息工程学院,河北保定071002

出　　处：《发光学报》

基　　金：河北省科学技术发展基金资助项目(51215103b)

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：1

起止页码：81-84

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用高温固相法合成了适用于UVLED芯片激发的NaCaPO4∶Tb3+绿色荧光粉并对其发光性质进行了研究。该荧光粉的发射峰位于418,440,492,545,586,622nm,分别对应Tb3+的5D3→7F5、5D3→7F4、5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3能级跃迁。其中位于492,545nm的发射峰最强,样品发射很好的绿光。主要激发峰位于380~400nm之间,属于4f→4f电子跃迁吸收,与UVLED芯片的发射相匹配。考察了Tb3+掺杂浓度和Li+,Na+和K+作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响:Tb3+的最佳掺杂浓度为10%,以Li+的补偿效果最好。NaCaPO4∶Tb3+是一种适用于白光LED的绿色荧光材料。

关 键 词：发光 荧光粉 NaCaPO4:Tb^3+  白光LED

分 类 号：O482.31]