文献类型：期刊文章

作　　者：刘霞[1] 王献伟[1] 赵高峰[1] 郭令举[1] 罗有华[1]

机构地区：[1]河南大学物理与电子学院理论物理研究所

出　　处：《河南大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10174086)

年　　份：2008

卷　　号：38

期　　号：1

起止页码：17-21

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、JST、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论（DFT）对GenSin（m=1，2；n=1～7）团簇的结构及稳定性进行了研究．在B3LYP／6-311G水平上进行了结构优化和频率分析，得到了各团簇的最低能量结构．对最稳定结构的二阶能量差分、分裂能、成键特性等性质进行了理论研究．结果表明：GemSin团簇的稳定结构与Six（s=m＋n）团簇的结构相似，相同尺寸的混合团簇原子间的成键特性非常相似，这为找到大尺寸的Ge=Si。团簇稳定结构提供了一条有效途径．电荷主要是从Ge原子转移到Si原子.在所研究的团簇中，GeSi3，GeSi6，Ge2Si2，Ge2Si5的结构较稳定．

关 键 词：GemSin(m=1,2  n=1~7)团簇  密度泛函理论(DFT)  结构与性质  

分 类 号：O562.1]