期刊文章详细信息
一种CMOS带隙基准电压源设计
Design of CMOS Band-gap Voltage Reference
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]大连理工大学微电子研究所,辽宁大连116024
年 份：2008
卷 号：31
期 号：4
起止页码：4-5
语 种：中文
收录情况：IC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：为了满足IC设计中对基准电源低功耗、低温度系数、高电源抑制比的要求,设计一种带隙基准电压源电路。在对传统带隙基准结构分析的基础上,该电路重点改善基准源中运算放大器的性能,采用台积电0.35μm CMOS工艺库设计并绘制版图。仿真结果表明,温度在0～100℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数小于10 ppm/℃,并且具有低功耗、高电源抑制比的特性。
关 键 词：CMOS 带隙基准 低温度系数 电源抑制比
分 类 号：TN710]
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