文献类型：期刊文章

作　　者：袁建强[1] 谢卫平[2] 周良骥[2] 陈林[2] 王新新[1]

机构地区：[1]清华大学电机系,北京100084 [2]中国工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳621900

出　　处：《强激光与粒子束》

年　　份：2008

卷　　号：20

期　　号：1

起止页码：171-176

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20081311170259)、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：概述了GaAs光导开关的发展历史,通过对GaAs和SiC进行比较指出,SiC由于禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优势被认为是更好的光导开关材料。比较了本征光电导和非本征光电导的不同之处,报道了利用本征光电导和非本征光电导的SiC光导开关的最新进展。介绍了光导开关在超宽带源和紧凑型脉冲功率系统中的应用,提出了SiC光导开关进一步发展的关键技术并进行了展望。

关 键 词：光导开关 砷化镓 碳化硅 脉冲功率 超宽带源  紧凑型脉冲功率系统  

分 类 号：TM836]