文献类型：期刊文章

作　　者：陈尔东[1] 王聪[1] 杨海刚[1] 朱开贵[1]

机构地区：[1]北京航空航天大学凝聚态物理与材料物理研究中心,北京100083

出　　处：《真空》

基　　金：国家自然科学基金(50772008);新世纪优秀人才支持计划资助(NCET-05-0197)

年　　份：2008

卷　　号：45

期　　号：1

起止页码：60-63

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了TiNxOy薄膜样品,研究了溅射过程中电压与N2流量之间的迟滞效应,通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis分光光度计、四探针电阻仪等测试手段表征了样品的物相、光吸收谱、电阻等性能。结果表明:随着N2含量的提高和薄膜厚度的增加,XRD显示薄膜样品出现明显的衍射峰,吸收光谱向可见光方向展宽至500 nm,电阻随着N2含量的提高呈逐渐下降的趋势。

关 键 词：TiNxOy  直流磁控溅射 迟滞回线 吸收光谱

分 类 号：TB43] O484]