文献类型：期刊文章

作　　者：赵铧[1] 李韦[1] 刘高斌[1] 熊稳[1] 王伟[1] 郭富胜[1]

机构地区：[1]重庆大学数理学院物理系和凝聚态物理研究所,重庆400044

出　　处：《材料导报》

基　　金：重庆大学凝聚态物理重点项目

年　　份：2007

卷　　号：21

期　　号：F11

起止页码：105-109

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外,ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来,并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节,有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状,分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。

关 键 词：氧化锌 纳米材料 稀磁半导体(DMS)  

分 类 号：TB383[材料类] TN304.21]