文献类型：期刊文章

作　　者：朱鹏[1] 幸研[1] 易红[1] 汤文成[1]

机构地区：[1]东南大学机械工程学院,先进制造技术实验室,南京211189

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA04Z351);国家自然科学基金(批准号:50675033)资助项目~~

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：1

起止页码：183-188

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：探讨了Metropolis蒙特卡罗方法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀仿真算法.在台阶流动(step flow)模型上引入了腐蚀概率方程,确定了蒙特卡罗转移概率.通过对不同相位晶面(vicinal surface)在掩模下的腐蚀模拟对提出的方法进行了校验分析,解释了蒙特卡罗法处理复杂晶面的原理和过程.模拟测试中,仿真程序能正确地再现不同晶向腐蚀速率特性以及凸角腐蚀的结构形态,经过与目前报道的元胞自动机以及其他种类蒙特卡罗法比较分析,模型具有较高的仿真效率和结果精度.最后,该系统模拟一个实际的微加速度传感器设计中的凸角补偿问题,在震动岛块的掩模补偿设计中验证了模型的正确性.

关 键 词：Metropolis蒙特卡罗  单晶硅 各向异性 湿法腐蚀

分 类 号：TN472]