文献类型：期刊文章

作　　者：陈琨[1] 范广涵[1] 章勇[1] 丁少锋[1]

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(50602018);广东省自然科学基金(06025083);广东省科技攻关计划(2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(2005Z1-D0071)资助

年　　份：2008

卷　　号：24

期　　号：1

起止页码：61-66

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000252650300011)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000252650300011)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO和N掺杂p-型ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂p-型ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子和N2分子对p-型掺杂ZnO的影响.

关 键 词：密度泛函理论 第一性原理 超软赝势方法  N掺杂纤锌矿ZnO  

分 类 号：O641.1]