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金刚石薄膜半导体研究进展及其应用前景
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]湖南大学材料测试研究中心 [2]电子工业部第十三研究所
年 份：1997
卷 号：13
期 号：4
起止页码：1-4
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究取得了一定进展。目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极待解决，但其应用前景十分广阔，到２０００年以后，市场销售额将超过金刚石膜工具而跃居首位。
关 键 词：金刚石薄膜 半导体 掺杂 准单晶
分 类 号：TN304.18] TN305.3
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