期刊文章详细信息
高温退火对蓝宝石基片的表面形貌和对CeO_2缓冲层以及Tl-2212超导薄膜生长的影响 ( EI收录)
Effects of annealing of r-cut sapphire substrate on its surface morphology and the growth of CeO_2 buffer layers and the Tl-2212 superconducting films
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]南开大学信息技术科学学院电子信息科学与技术系,天津300071
基 金:国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB601006);国家高技术研究发展计划(863)新材料领域(批准号:2006AA03Z213);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050055028)资助的课题~~
年 份:2008
卷 号:57
期 号:1
起止页码:519-525
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20081011136766)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000252344800083)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长,表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5MA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约为390μΩ.
关 键 词:TI 2212超导薄膜 蓝宝石 缓冲层
分 类 号:O484] O511.3[物理学类]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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