文献类型：期刊文章

作　　者：李炳乾[1] 刘玉华[1] 冯玉春[2]

机构地区：[1]佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山528000 [2]深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳518060

出　　处：《物理学报》

基　　金：广东省自然科学基金(批准号:04011642);佛山市科技发展专项基金(批准号:04030021);教育部光电子器件与系统重点实验室开放基金资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：1

起止页码：477-481

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000252344800076)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000252344800076)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下,大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化,其阻值由低输入功率时的1.2Ω降低到0.9Ω,然后再升高到1.9Ω,等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加,最高时接近50%,成为大功率输入时影响LED流明效率的主要因素.

关 键 词：自加热 等效串联电阻 发光二极管 流明效率  

分 类 号：TN312.8]