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期刊文章详细信息

溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征    

Elimination of Target Poisoning in the Process of TiO2 Thin Films Prepared by Sputtering and Characterization of Films

  

文献类型:期刊文章

作  者:王秩伟[1,2] 龚恒翔[2] 李雪[2] 谌家军[1]

机构地区:[1]西华师范大学物理与电子信息学院,四川南充637002 [2]绍兴文理学院材料物理与设备研究所,浙江绍兴312000

出  处:《纳米科技》

基  金:绍兴市科技局项目(No.2003141;No.2004147)

年  份:2007

卷  号:4

期  号:6

起止页码:50-54

语  种:中文

收录情况:内刊、普通刊

摘  要:用氧脉冲直流反应磁控溅射法,在载玻片衬底上制备了不同初始氧浓度和不同断氧时间%的多晶TiO2纳米薄膜,并对薄膜的厚度、晶体结构及表面形貌进行了研究。研究发现,脉冲式通氧能有效消除靶中毒,将薄膜沉积速率最大提高到3~5nm/min,并且当断氧时间大于30s时,沉积速率在2.5nm/min以上;薄膜的晶体结构和形貌随着氧浓度和断氧时间而变化,在初始氧浓度为30%、断氧时间为30s时,金红石结构样品具有最佳结晶程度,并且薄膜的表面平整、晶粒尺寸分布均匀,而锐钛矿结构的最佳结晶条件是氧浓度30%或50%、断氧时间20s.

关 键 词:TIO2 薄膜  靶中毒  晶体结构 表面形貌

分 类 号:TB43]

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同被引文献:

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